国家/地区 China（2）
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机构 FUDAN UNIV（2）
作者 BAO WZ（2）

Layer-by-Layer AB-Stacked Bilayer Graphene Growth Through an Asymmetric Oxygen Gateway

CHEMISTRY OF MATERIALS

LIU B, SHENG YC, HUANG SY, GUO ZX, BA K, YAN HG, BAO WZ, SUN ZZ

Low sub-threshold swing realization with contacts of graphene/h-BN/MoS2 heterostructures in MoS2 transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

LI C, YAN X, BAO WZ, DING SJ, ZHANG DW, ZHOU P