国家/地区 China（2）
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机构 SHANGHAI UNI.（2）
作者 BOTTCHER S（2）

Electronic Structure and Magnetic Properties of Graphene/Ni3Mn/Ni(111) Trilayer

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C

VOLOSHINA E, GUO QL, PAULUS B, BOTTCHER S, VITA H, HORN K, ZHAO CB, CUI Y, DEDKOV Y

The graphene/n-Ge(110) interface: structure, doping, and electronic properties

NANOSCALE

TESCH J, PASCHKE F, FONIN M, WIETSTRUK M, BOTTCHER S, KOCH RJ, BOSTWICK A, JOZWIAK C, ROTENBERG E, MAKAROVA A, PAULUS B, VOLOSHINA E, DEDKOV Y