国家/地区 Singapore（2）
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机构 NATL UNIV SI.（2）
作者 CHHOWALLA M（2）

Graphene oxide gate dielectric for graphene-based monolithic field effect transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

EDA G, NATHAN A, WOBKENBERG P, COLLEAUX F, GHAFFARZADEH K, ANTHOPOULOS TD, CHHOWALLA M

Graphene oxide as a chemically tunable platform for optical applications

NATURE CHEMISTRY

LOH KP, BAO QL, EDA G, CHHOWALLA M