国家/地区 Singapore（2）
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机构 INST MAT RES ENGN（2）
作者 FENG YP（2）

Interfacial Properties of Silicon Nitride Grown on Epitaxial Graphene on 6H-SiC Substrate

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C

YANG M, CHAI JW, WANG YZ, WANG SJ, FENG YP

Graphene stabilized high-kappa dielectric Y2O3 (111) monolayers and their interfacial properties

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