国家/地区 Usa（2）
关键词 PN JUNCTION（2）
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机构
作者 GE ZH（2）

Comprehensive Electrostatic Modeling of Exposed Quantum Dots in Graphene/Hexagonal Boron Nitride Heterostructures

NANOMATERIALS

QUEZADALOPEZ EA, GE ZH, TANIGUCHI T, WATANABE K, JOUCKEN F, VELASCO J

Ultrasharp Lateral p-n Junctions in Modulation-Doped Graphene br

NANO LETTERS

BALGLEY J, BUTLER J, BISWAS S, GE ZH, LAGASSE S, TANIGUCHI T, WATANABE K, COTHRINE M, MANDRUS DG, VELASCO J, VALENTI R, HENRIKSEN EA