国家/地区 Sweden（2）
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机构 CHALMERS UNIV TECHNOL（2）
作者 GENERALOV A（2）

Graphene Field-Effect Transistors With High Extrinsic f(T) and f(max)

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

BONMANN M, ASAD M, YANG XX, GENERALOV A, VOROBIEV A, BANSZERUS L, STAMPFER C, OTTO M, NEUMAIER D, STAKE J

A flexible graphene terahertz detector

APPLIED PHYSICS LETTERS

YANG XX, VOROBIEV A, GENERALOV A, ANDERSSON MA, STAKE J