国家/地区 Korea（2）
关键词 ALGAN/GAN（2）
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机构 HANYANG UNIV（2）
作者 HAN S（2）

Effect of a Graphene Interlayer on the Electrical Properties of an AlGaN/GaN Schottky Diode

JOURNAL OF NANOSCIENCE NANOTECHNOLOGY

KIM YH, HAN S, CHO I, LEE J, PARK J

Effects of Plasma Treatment on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Diodes with Graphene/Ni/Au Electrodes

NANOSCIENCE NANOTECHNOLOGY LETTERS

HAN S, CHO I, KIM H, MAGESHWARI K, PARK J