国家/地区 Germany（3）
关键词 GRAPHENE（2） ION IMPLANTATION（2）
出版物
出版时间
机构 UNIV GOTTING.（2）
作者 HOFSASS H（3）

Short-range ordering of ion-implanted nitrogen atoms in SiC-graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

WILLKE P, AMANI JA, THAKUR S, WEIKERT S, DRUGA T, MAITI K, HOFSASS H, WENDEROTH M

Doping of Graphene by Low-Energy Ion Beam Implantation: Structural, Electronic, and Transport Properties

NANO LETTERS

WILLKE P, AMANI JA, SINTERHAUF A, THAKUR S, KOTZOTT T, DRUGA T, WEIKERT S, MAITI K, HOFSASS H, WENDEROTH M

Lateral Controlled Doping and Defect Engineering of Graphene by Ultra-Low-Energy Ion Implantation

NANOMATERIALS

JUNGE F, AUGE M, ZARKUA Z, HOFSASS H