国家/地区 Germany（2）
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机构 UNIV GOTTINGEN（2）
作者 HOFSASS H（2）

Short-range ordering of ion-implanted nitrogen atoms in SiC-graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

WILLKE P, AMANI JA, THAKUR S, WEIKERT S, DRUGA T, MAITI K, HOFSASS H, WENDEROTH M

Doping of Graphene by Low-Energy Ion Beam Implantation: Structural, Electronic, and Transport Properties

NANO LETTERS

WILLKE P, AMANI JA, SINTERHAUF A, THAKUR S, KOTZOTT T, DRUGA T, WEIKERT S, MAITI K, HOFSASS H, WENDEROTH M