国家/地区 Singapore（2）
关键词 MEMORY DEVICE（2）
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机构 NANYANG TECH.（2）
作者 HUANG W（2）

Fabrication of Flexible, All-Reduced Graphene Oxide Non-Volatile Memory Devices

ADVANCED MATERIALS

LIU JQ, YIN ZY, CAO XH, ZHAO F, WANG LH, HUANG W, ZHANG H

Preparation of MoS2-Polyvinylpyrrolidone Nanocomposites for Flexible Nonvolatile Rewritable Memory Devices with Reduced Graphene Oxide Electrodes

SMALL

LIU JQ, ZENG ZY, CAO XH, LU G, WANG LH, FAN QL, HUANG W, ZHANG H