国家/地区 Korea（2）
关键词 TRANSISTOR（2）
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机构
作者 KANG MS（2）

Highly Tunable Charge Transport in Layer-by-Layer Assembled Graphene Transistors

ACS NANO

HWANG H, JOO P, KANG MS, AHN G, HAN JT, KIM BS, CHO JH

Large-Area Schottky Barrier Transistors Based on Vertically Stacked Graphene-Metal Oxide Heterostructures

ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS

KIM S, CHOI YJ, CHOI Y, KANG MS, CHO JH