国家/地区 China（2）
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机构 UNIV ELECT SCI TECHNOL CHINA（2）
作者 LAN Y（2）

Flexible Graphene Field-Effect Transistors With Extrinsic f(max) of 28

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

LAN Y, XU YH, WU Y, CAO ZY, CHEN TS, ZHOU JH, WU YQ, CHEN YF, YAN B, XU RM, LI YR

A High-Frequency Compact Model for Graphene Resonant Channel Transistors Including Mechanical Nonlinear Effects

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY TECHNIQUES

MEI TD, XU YH, LAN Y, LI OP, SARDER MR, XU RM, LI YR