国家/地区 Korea（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
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机构
作者 LEE BH（2）

Schottky Barrier Variable Graphene/Multilayer-MoS2 Heterojunction Transistor Used to Overcome Short Channel Effects

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

LEE I, KIM JN, KANG WT, SHIN YS, LEE BH, YU WJ

Advantages of a buried-gate structure for graphene field-effect transistor

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

LEE SK, KIM YJ, HEO S, PARK W, YOO TJ, CHO C, HWANG HJ, LEE BH