国家/地区 Taiwan（2）
关键词 GRAPHENE（2） SCHOTTKY BARRIER HE.（2） SI（2）
出版物 APPLIED SURFACE SCIENCE（2）
出版时间 2014（2）
机构 NATL CHANGHU.（2）
作者 LIN YJ（2）

Determination of Schottky barrier heights and Fermi-level unpinning at the graphene/n-type Si interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy and Kelvin probe

APPLIED SURFACE SCIENCE

LIN YJ, ZENG JJ

Annealing effect on Schottky barrier inhomogeneity of graphene/n-type Si Schottky diodes

APPLIED SURFACE SCIENCE

LIN YJ, LIN JH