国家/地区 Germany（2）
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机构 UNIV DUISBURG ESSEN（2）
作者 MAULTZSCH J（2）

Radiation hardness of graphene and MoS2 field effect devices against swift heavy ion irradiation

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

OCHEDOWSKI O, MARINOV K, WILBS G, KELLER G, SCHEUSCHNER N, SEVERIN D, BENDER M, MAULTZSCH J, TEGUDE FJ, SCHLEBERGER M

Graphene on Si(111)7x7

NANOTECHNOLOGY

OCHEDOWSKI O, BEGALL G, SCHEUSCHNER N, EL KHARRAZI M, MAULTZSCH J, SCHLEBERGER M