国家/地区 Japan（2）
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机构 HIROSAKI UNI.（2）
作者 NAKAZAWA H（2）

Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

NARITA S, NARA Y, ENTA Y, NAKAZAWA H

Formation of graphene/SiC/AIN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

NARITA S, MEGURO K, TAKAMI T, ENTA Y, NAKAZAWA H