国家/地区 Iran（3）
关键词 TUNNELING TRANSISTOR（3）
出版物 IEEE TRANSACTIONS O.（2）
出版时间
机构
作者 POURFATH M（3）

A Comparative Study of Tunneling FETs Based on Graphene and GNR Heterostructures

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

GHOBADI N, POURFATH M

Modeling of a Vertical Tunneling Transistor Based on Graphene-MoS2 Heterostructure

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

HORRI A, FAEZ R, POURFATH M, DARVISH G

Vertical Tunneling Graphene Heterostructure-Based Transistor for Pressure Sensing

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

GHOBADI N, POURFATH M