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Korea(2)
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CARBON(2)
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作者
RANI JR(2)
Low voltage resistive memory devices based on graphene oxide-iron oxide hybrid
CARBON
RANI JR, OH SI, WOO JM, JANG JH
Low-temperature characteristics of resistive switching memory devices based on reduced graphene oxide-phosphor composites toward reliable cryogenic electronic devices
CARBON
RANI JR, DAS NC, KIM M, JANG JH
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