国家/地区 France（2）
关键词
出版物 SCIENTIFIC REPORTS（2）
出版时间
机构
作者 SCHOPFER F（2）

High Electron Mobility in Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001) via post-growth annealing under hydrogen

SCIENTIFIC REPORTS

PALLECCHI E, LAFONT F, CAVALIERE V, SCHOPFER F, MAILLY D, POIRIER W, OUERGHI A

Insulating to relativistic quantum Hall transition in disordered graphene

SCIENTIFIC REPORTS

PALLECCHI E, RIDENE M, KAZAZIS D, LAFONT F, SCHOPFER F, POIRIER W, GOERBIG MO, MAILLY D, OUERGHI A