国家/地区 Singapore（3）
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机构 NATL UNIV SI.（2）
作者 WANG YZ（3）

Interfacial Properties of Silicon Nitride Grown on Epitaxial Graphene on 6H-SiC Substrate

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C

YANG M, CHAI JW, WANG YZ, WANG SJ, FENG YP

Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC (0001) by Fluorine Intercalation from a Molecular Source

ACS NANO

WONG SL, HUANG H, WANG YZ, CAO L, QI DC, SANTOSO I, CHEN W, WEE ATS

Surface transfer hole doping of epitaxial graphene using MoO3 thin film

APPLIED PHYSICS LETTERS

CHEN ZY, SANTOSO I, WANG R, XIE LF, MAO HY, HUANG H, WANG YZ, GAO XY, CHEN ZK, MA DG, WEE ATS, CHEN W