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出版时间 2016（2）
机构
作者 WEMAN H（2）

Vertically Oriented Growth of GaN Nanorods on Si Using Graphene as an Atomically Thin Buffer Layer

NANO LETTERS

HEILMANN M, MUNSHI AM, SARAU G, GOBELT M, TESSAREK C, FAUSKE VT, VAN HELVOORT ATJ, YANG JF, LATZEL M, HOFFMANN B, CONIBEER G, WEMAN H, CHRISTIANSEN S

Fabrication of Si(111) crystalline thin film on graphene by aluminum-induced crystallization

APPLIED PHYSICS LETTERS

HOIAAS IM, KIM DC, WEMAN H