国家/地区 China（2）
关键词
出版物
出版时间 2014（2）
机构 TSINGHUA UNIV（2）
作者 WU C（2）

Novel Field-Effect Schottky Barrier Transistors Based on Graphene-MoS2 Heterojunctions

SCIENTIFIC REPORTS

TIAN H, TAN Z, WU C, WANG XM, MOHAMMAD MA, XIE D, YANG Y, WANG J, LI LJ, XU J, REN TL

Cost-Effective, Transfer-Free, Flexible Resistive Random Access Memory Using Laser-Scribed Reduced Graphene Oxide Patterning Technology

NANO LETTERS

TIAN H, CHEN HY, REN TL, LI C, XUE QT, MOHAMMAD MA, WU C, YANG Y, WONG HSP