国家/地区 China（2）
关键词
出版物 MICROELECTRONICS RELIABILITY（2）
出版时间
机构 CHINESE ACAD.（2）
作者 XI K（2）

Impact of electrical stress on total ionizing dose effects on graphene nano-disc non-volatile memory devices

MICROELECTRONICS RELIABILITY

XI K, BI JS, XU YN, LI YD, ZHANG ZG, LIU M

The total ionizing dose effects of X-ray irradiation on graphene/Si Schottky diodes with a HfO2 insertion layer

MICROELECTRONICS RELIABILITY

XU YN, BI JS, LI YD, XI K, FAN LJ, LIU M, SANDIP M, LUO L