国家/地区 China（2）
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机构 UNIV ELECT SCI TECHNOL CHINA（2）
作者 YAN B（2）

Flexible Graphene Field-Effect Transistors With Extrinsic f(max) of 28

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

LAN Y, XU YH, WU Y, CAO ZY, CHEN TS, ZHOU JH, WU YQ, CHEN YF, YAN B, XU RM, LI YR

Electrical read out of nano-electromechanical system signal by using graphene resonant channel transistor

ACTA PHYSICA SINICA

XU YH, GUO YC, WU YQ, XU RM, YAN B