| 国家/地区 |
China（2）
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| 关键词 |
GRAPHENE（2）
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| 出版物 | |
| 出版时间 | |
| 机构 | |
| 作者 |
YANG GY（2）
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Gate Leakage Suppression and Breakdown Voltage Enhancement in p-GaN HEMTs Using Metal/Graphene Gates
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ZHOU GN, WAN ZY, YANG GY, JIANG Y, SOKOLOVSKIJ R, YU HY, XIA GR
NANOTECHNOLOGY
XU LY, YANG GY, JING HY, WEI J, HAN YD