国家/地区 China（2）
关键词
出版物 ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES（2）
出版时间
机构
作者 YU GH（2）

Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

PENG SG, JIN Z, ZHANG DY, SHI JY, MAO DC, WANG SQ, YU GH

200 GHz Maximum Oscillation Frequency in CVD Graphene Radio Frequency Transistors

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

WU Y, ZOU XM, SUN ML, CAO ZY, WANG XR, HUO S, ZHOU JJ, YANG Y, YU XX, KONG YC, YU GH, LIAO L, CHEN TS