国家/地区 China（2）
关键词
出版物
出版时间 2023（2）
机构
作者 ZHANG BS（2）

Gate leakage mechanisms of the AlGaN/GaN HEMT with fluorinated graphene passivation

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING

DING XY, SONG L, YU GH, CAI Y, SUN YH, ZHANG BL, DU ZK, ZENG ZM, ZHANG XP, ZHANG BS

In situ growth of LiMn2O4 on graphene oxide for efficient lithium extraction by capacitive deionization

JOURNAL OF SOLID STATE ELECTROCHEMISTRY

YANG JF, SHANG XH, HU B, ZHANG BS, WANG YW, YANG JM, LIU JY