国家/地区 Usa（2）
关键词 ATOMIC LAYER DEPOSITION（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间 2010（2）
机构
作者

Characteristics of high-k Al2O3 dielectric using ozone-based atomic layer deposition for dual-gated graphene devices

APPLIED PHYSICS LETTERS

LEE B, MORDI G, KIM MJ, CHABAL YJ, VOGEL EM, WALLACE RM, CHO KJ, COLOMBO L, KIM J

Graphene field-effect transistors with self-aligned gates

APPLIED PHYSICS LETTERS

FARMER DB, LIN YM, AVOURIS P