国家/地区 China（2）
关键词 CARRIER DENSITY（2）
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机构 CHINESE ACAD SCI（2）
作者

Substrate doping effects on Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

YANG R, HUANG QS, CHEN XL, ZHANG GY, GAO HJ

Intrinsic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistors

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

WANG SQ, JIN Z, MUHAMMAD A, PENG SG, HUANG XN, ZHANG DY, SHI JY