国家/地区 Spain（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
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机构
作者

Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications

2D MATERIALS

FEIJOO PC, JIMENEZ D, CARTOIXA X

Angle dependent conductivity in graphene FET transistors

SOLIDSTATE ELECTRONICS

FUENTEVILLA CH, LEJARRETA JD, COBALEDA C, DIEZ E