国家/地区
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
出版物 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（2）
出版时间 2009（2）
机构
作者

Device model for graphene bilayer field-effect transistor

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

RYZHII V, RYZHII M, SATOU A, OTSUJI T, KIROVA N

Modeling edge effects in graphene nanoribbon field-effect transistors with real and mode space methods

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

ZHAO P, GUO J