国家/地区 Usa（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
出版物 ACS NANO（2）
出版时间
机构 PENN STATE UNIV（2）
作者

Integration of Hexagonal Boron Nitride with Quasi-freestanding Epitaxial Graphene: Toward Wafer-Scale, High-Performance Devices

ACS NANO

BRESNEHAN MS, HOLLANDER MJ, WETHERINGTON M, LABELLA M, TRUMBULL KA, CAVALERO R, SNYDER DW, ROBINSON JA

n-Type Behavior of Graphene Supported on Si/SiO2 Substrates

ACS NANO

ROMERO HE, SHEN N, JOSHI P, GUTIERREZ HR, TADIGADAPA SA, SOFO JO, EKLUND PC