国家/地区 Korea（2）
关键词 GAN（2）
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机构
作者 LEE S（2）

Stress relaxation of GaN microstructures on a graphene-buffered Al2O3 substrate

PHYSICA STATUS SOLIDIRAPID RESEARCH LETTERS

MUN DH, BAE H, BAE S, LEE H, HA JS, LEE S

Flexible resistive random access memory devices by using NiOx/GaN microdisk arrays fabricated on graphene films

NANOTECHNOLOGY

LEE K, PARK JW, TCHOE Y, YOON J, CHUNG K, YOON H, LEE S, YOON C, PARK BH, YI GC