国家/地区 Sweden（3）
关键词 GRAPHENE（3）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（3）
出版时间
机构 CHALMERS UNIV TECHNOL（3）
作者 HABIBPOUR O（2） STAKE J（2）

Graphene Field-Effect Transistors With High Extrinsic f(T) and f(max)

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

BONMANN M, ASAD M, YANG XX, GENERALOV A, VOROBIEV A, BANSZERUS L, STAMPFER C, OTTO M, NEUMAIER D, STAKE J

Mobility Improvement and Microwave Characterization of a Graphene Field Effect Transistor With Silicon Nitride Gate Dielectrics

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HABIBPOUR O, CHEREDNICHENKO S, VUKUSIC J, STAKE J

Graphene FET Gigabit ON-OFF Keying Demodulator at 96 GHz

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HABIBPOUR O, HE ZS, STRUPINSKI W, RORSMAN N, CIUK T, CIEPIELEWSKI P, ZIRATH H