国家/地区 China（3）
关键词 GRAPHENE INSERTION LAYER（3）
出版物 JOURNAL OF ALLOYS C.（2）
出版时间
机构
作者 DENG J（2） HAN YJ（2） HAO ZB（2） LI HT（2）
LUO Y（2） SUN CZ（2） WANG J（2） WANG L（2）
XIONG B（2） YU JD（2）

Gate-tunable linear magnetoresistance in molybdenum disulfide field-effect transistors with graphene insert ion layer

NANO RESEARCH

HUANG H, GUAN HM, SU M, ZHANG XY, LIU Y, LIU CS, ZHANG ZH, LIU KH, LIAO L, TANG N

Study on AlN buffer layer for GaN on graphene/copper sheet grown by MBE at low growth temperature

JOURNAL OF ALLOYS COMPOUNDS

YU JD, HAO ZB, WANG J, DENG J, YU WY, WANG L, LUO Y, HAN YJ, SUN CZ, XIONG B, LI HT

Low-temperaturevan der waals epitaxy of GaN films on graphene through AlN buffer by plasma-assisted molecular beam epitaxy

JOURNAL OF ALLOYS COMPOUNDS

YU JD, HAO ZB, DENG J, LI X, WANG L, LUO Y, WANG J, SUN CZ, HAN YJ, XIONG B, LI HT