国家/地区 China（2）
关键词 GROWTH（2）
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机构 HEBEI SEMICOND RES INST（2）
作者 FENG ZH（2） LIU QB（2） YU C（2）

Chemical vapor deposition graphene of high mobility by gradient growth method on an 4H-SiC (0001) substrate

APPLIED SURFACE SCIENCE

LIU QB, YU C, HE ZZ, GU GD, WANG JJ, ZHOU CJ, GUO JC, GAO XD, FENG ZH

Quasi-equilibrium growth of monolayer epitaxial graphene on SiC (0001)

ACTA PHYSICA SINICA

YU C, LI J, LIU QB, CAI SJ, FENG ZH