国家/地区 China（2） Taiwan（2）
关键词 HYSTERESIS EFFECT（4）
出版物 ACS APPLIED MATERIA.（2）
出版时间 2023（2）
机构
作者 CHU CM（2） LIN CH（2） LIN CT（2） LIN CY（2）
LU YX（2） TSAI MH（2） WANG CC（2） WOON WY（2）

A reverse hysteresis effect of graphene transistors with amorphous silicon gate dielectric

MICROELECTRONICS RELIABILITY

ZHANG QW, LI P, LIAO YB, WANG G, ZENG RZ, WANG H

Investigating the Mechanism of Hysteresis Effect in Graphene Electrical Field Device Fabricated on SiO2 Substrates using Raman Spectroscopy

SMALL

XU H, CHEN YB, ZHANG J, ZHANG HL

The First-Water-Layer Evolution at the Graphene/Water Interface under Different Electro-Modulated Hydrophilic Conditions Observed by Suspended/Supported Field-Effect-Device Architectures

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

TSAI MH, LU YX, LIN CY, LIN CH, WANG CC, CHU CM, WOON WY, LIN CT

The First-Water-Layer Evolution at the Graphene/Water Interface under Different Electro-Modulated Hydrophilic Conditions Observed by Suspended/Supported Field-Effect-Device Architectures

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

TSAI MH, LU YX, LIN CY, LIN CH, WANG CC, CHU CM, WOON WY, LIN CT