国家/地区 Germany（2）
关键词 ION IMPLANTATION（2）
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机构
作者 HOFSASS H（2）

Doping of Graphene by Low-Energy Ion Beam Implantation: Structural, Electronic, and Transport Properties

NANO LETTERS

WILLKE P, AMANI JA, SINTERHAUF A, THAKUR S, KOTZOTT T, DRUGA T, WEIKERT S, MAITI K, HOFSASS H, WENDEROTH M

Lateral Controlled Doping and Defect Engineering of Graphene by Ultra-Low-Energy Ion Implantation

NANOMATERIALS

JUNGE F, AUGE M, ZARKUA Z, HOFSASS H