| 国家/地区 | India（2） |
| 关键词 |
MODELING（2）
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| 出版物 | INTERNATIONAL JOURN.（2） |
| 出版时间 | |
| 机构 |
VISVESVARAYA NATL INST TECHNOL（2）
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| 作者 | GHIVELA GC（2） SENGUPTA J（2） |
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLINGELECTRONIC NETWORKS DEVICES FIELDS
GHIVELA GC, SENGUPTA J
Modeling and computation of double drift region transit time diode performance based on graphene-SiC
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLINGELECTRONIC NETWORKS DEVICES FIELDS
GHIVELA GC, SENGUPTA J