国家/地区 Germany（2）
关键词 MOS2（2）
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机构 RHEIN WESTFAL TH AACHEN（2）
作者

Electron Transport across Vertical Silicon/MoS2/Graphene Heterostructures: Towards Efficient Emitter Diodes for Graphene Base Hot Electron Transistors

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

BELETE M, ENGSTROM O, VAZIRI S, LIPPERT G, LUKOSIUS M, KATARIA S, LEMME MC

Dry transfer of CVD graphene using MoS2-based stamps

PHYSICA STATUS SOLIDIRAPID RESEARCH LETTERS

BANSZERUS L, WATANABE K, TANIGUCHI T, BESCHOTEN B, STAMPFER C