国家/地区 China（2）
关键词 SCHOTTKY BARRIER（2）
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机构 HARBIN INST TECHNOL（2）
作者

Graphene/g-GeC bilayer heterostructure: Modulated electronic properties and interface contact via external vertical strains and electric fileds

CARBON

GAO X, SHEN YQ, MA YY, WU SY, ZHOU ZX

Tuning the Excitonic States in MoS2/Graphene van der Waals Heterostructures via Electrochemical Gating

ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS

LI Y, XU CY, QIN JK, FENG W, WANG JY, ZHANG SQ, MA LP, CAO J, HU PA, REN WC, ZHEN L