国家/地区 China（2）
关键词 SOLGEL METHOD（2）
出版物 JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS（2）
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作者

Influence of B doping on the carrier transport mechanism and barrier height of graphene/ZnO Schottky contact

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

LI YP, LI YF, ZHANG JH, TONG T, YE W

Graphene quantum dot-sensitized GaP@ZnO nanocomposite for high-performance UV photodetectors

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

WANG SN, ZHENG MJ, JIANG DK, YUAN H, CHEN H, FAN YL, LI FG, ZHANG WL, MA L, SHEN WZ