国家/地区 Sweden（2）
关键词 TRANSISTOR（2）
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The Dependence of the High-Frequency Performance of Graphene Field-Effect Transistors on Channel Transport Properties

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY

ASAD M, BONMANN M, YANG XX, VOROBIEV A, JEPPSON K, BANSZERUS L, OTTO M, STAMPFER C, NEUMAIER D, STAKE J

A Graphene-Based Hot Electron Transistor

NANO LETTERS

VAZIRI S, LUPINA G, HENKEL C, SMITH AD, OSTLING M, DABROWSKI J, LIPPERT G, MEHR W, LEMME MC