国家/地区 Sweden（2）
关键词 TRANSIT FREQUENCY（2）
出版物
出版时间
机构 CHALMERS UNIV TECHNOL（2）
作者 ASAD M（2） BANSZERUS L（2） BONMANN M（2） NEUMAIER D（2）
OTTO M（2） STAKE J（2） STAMPFER C（2） VOROBIEV A（2）
YANG XX（2）

The Dependence of the High-Frequency Performance of Graphene Field-Effect Transistors on Channel Transport Properties

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY

ASAD M, BONMANN M, YANG XX, VOROBIEV A, JEPPSON K, BANSZERUS L, OTTO M, STAMPFER C, NEUMAIER D, STAKE J

Graphene Field-Effect Transistors With High Extrinsic f(T) and f(max)

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

BONMANN M, ASAD M, YANG XX, GENERALOV A, VOROBIEV A, BANSZERUS L, STAMPFER C, OTTO M, NEUMAIER D, STAKE J