国家/地区 China（3）
关键词 TUNABLE（3）
出版物 NANOTECHNOLOGY（3）
出版时间
机构 SHANGHAI NOR.（2）
作者 HE XY（2） LIN FT（2） LIU F（2） SHI WZ（2）

Tunable and nonvolatile multibit data storage memory based on MoTe2/boron nitride/graphene heterostructures through contact engineering

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