国家/地区 China（2）
关键词 TUNNELING（2）
出版物
出版时间
机构
作者 LI XJ（2）

The gate leakage current in graphene field-effect transistor

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

MAO LF, LI XJ, WANG ZO, WANG JY

Effects of Energy Relaxation via Quantum Coupling Among Three-Dimensional Motion on the Tunneling Current of Graphene Field-Effect Transistors

NANOSCALE RESEARCH LETTERS

MAO LF, NING HS, LI XJ