国家/地区
关键词 WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（2）
出版时间 2012（2）
机构
作者

A switch for epitaxial graphene electronics: Utilizing the silicon carbide substrate as transistor channel

APPLIED PHYSICS LETTERS

KRACH F, HERTEL S, WALDMANN D, JOBST J, KRIEGER M, RESHANOV S, SCHONER A, WEBER HB

Horizontally aligned ZnO nanowire transistors using patterned graphene thin films

APPLIED PHYSICS LETTERS

KIM H, PARK JH, SUH M, AHN JR, JU S