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关键词 WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR（2）
出版物 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（2）
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机构
作者

Substrate doping effects on Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

YANG R, HUANG QS, CHEN XL, ZHANG GY, GAO HJ

Transmission electron microscopy and scanning tunneling microscopy investigations of graphene on 4H-SiC(0001)

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

BORYSIUK J, BOZEK R, STRUPINSKI W, WYSMOLEK A, GRODECKI K, STEPNIEWSKI R, BARANOWSKI JM