国家/地区 Belgium（5）
关键词
出版物 PHYSICAL REVIEW B（3）
出版时间 2012（3）
机构 UNIV NAMUR FUNDP（5）
作者 HENRARD L（3） JOUCKEN F（3） CHARLIER JC（2） HACKENS B（2）
RASKIN JP（2） SANTOS CN（2） SPORKEN R（2） ZHENG B（2）

Direct growth of graphene on Si(111)

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

TRUNG PT, CAMPOSDELGADO J, JOUCKEN F, COLOMER JF, HACKENS B, RASKIN JP, SANTOS CN, ROBERT S

Long-range interactions between substitutional nitrogen dopants in graphene: Electronic properties calculations

PHYSICAL REVIEW B

LAMBIN P, AMARA H, DUCASTELLE F, HENRARD L

Localized state and charge transfer in nitrogen-doped graphene

PHYSICAL REVIEW B

JOUCKEN F, TISON Y, LAGOUTE J, DUMONT J, CABOSART D, ZHENG B, REPAIN V, CHACON C, GIRARD Y, BOTELLOMENDEZ AR, ROUSSET S, SPORKEN R, CHARLIER JC, HENRARD L

Electronic properties and STM images of doped bilayer graphene

PHYSICAL REVIEW B

GUILLAUME SO, ZHENG B, CHARLIER JC, HENRARD L

The role of SiC as a diffusion barrier in the formation of graphene on Si(111)

DIAMOND RELATED MATERIALS

PHAM TT, SANTOS CN, JOUCKEN F, HACKENS B, RASKIN JP, SPORKEN R