国家/地区 China（2）
关键词 GAN（2）
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作者 HAO Y（2）

Investigation of GaN with Low Threading Dislocation Density Grown on Graphene/Sputtered AlN Composite Substrate

PHYSICA STATUS SOLIDIRAPID RESEARCH LETTERS

ZHANG YC, SU K, GUO R, XU SR, CHEN DZ, ZHU JD, BAO WM, ZHANG JC, NING J, HAO Y

High-quality GaN grown on nitrogen-doped monolayer graphene without an intermediate layer

SCIENCE CHINAMATERIALS

CHEN DN, NING J, WANG D, WANG BY, ZHAO JL, ZHANG JC, HAO Y